Anterwell Technology Ltd.

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Grande estoque Original de componentes eletrônicos do CI, transistores, diodos, etc.

Alta qualidade, preço razoável, entrega rápida.

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Transistor do Mosfet do poder

Certificado
de boa qualidade microplaquetas programáveis do CI para vendas
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Revisões do cliente
Temos cooperar com Anterwell perto de 7 anos. sempre muito boa qualidade bom serviço. entrega original e muito rápido. Um parceiro muito bom.

—— Clemente De Brzail

Estou fazendo negócios com Anterwell a partir de 2006, desde pequenas a grandes encomendas. Confiável!

—— Ingalill Da Suécia

Sharon é uma menina muito boa, estamos muito felizes em cooperar com ela. preço competitivo e profissional. Nunca tem problema de qualidade com eles.

—— Alfredo Dos EUA

Nós sempre comprar peças Xilinx de Anterwell. Alta qualidade com bom preço. A esperança pode ter mais negócios com você.

—— Sr. Babak Do Irã

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Transistor do Mosfet do poder

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China MJE15030G VOLTS COMPLEMENTARES DO SILICONE 120−150 DOS TRANSISTOR DE PODER DE 8 AMPÈRES, 50 WATTS fábrica

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MJE15030G VOLTS COMPLEMENTARES DO SILICONE 120−150 DOS TRANSISTOR DE PODER DE 8 AMPÈRES, 50 WATTS Características • Ganho atual de C.C. especificado a 4,0 ampères hFE = 40 (minuto) @ IC = 3,0 CAD = 20 (minuto) ... Read More
2018-05-23 17:11:45
China 1N4148 JEJUAM diodo de retificador de alta tensão do diodo de retificador do poder do DIODO de INTERRUPTOR fábrica

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1N4148 DIODO RÁPIDO DO SWITCHING diodo retificador de alta tensão do diodo do retificador do poder Características Velocidade de Comutação Rápida Rectificação de Uso Geral Construção planar epitaxial do ... Read More
2018-05-21 17:51:22
China Uppressors transientes com saídas axiais da tensão de 1.5KE7.5CA 1500W - alta tensão 6.8V-440V fábrica

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2018-05-21 17:19:43
China Placa de microplaqueta eletrônica do baixo interruptor de alimentação lateral esperto de BTS134D fábrica

Placa de microplaqueta eletrônica do baixo interruptor de alimentação lateral esperto de BTS134D

Placa de microplaqueta eletrônica esperta do interruptor de poder do lado baixo de BTS134D Características Entrada de Nível Lógico Proteção de entrada (ESD) Desligamento térmico com reinicialização automática ... Read More
2018-05-02 17:28:46
China Acoplador ótico TCMT4100 com o mosfet do uso geral da saída do fototransistor fábrica

Acoplador ótico TCMT4100 com o mosfet do uso geral da saída do fototransistor

TCMT4100 Acoplador ótico com saída de fototransistor Descrição A série TCMT11 .. consiste de um fototransistor acoplado oticamente a um diodo de infravermelho com arseneto de gálio em uma derivação 4- até 16- ... Read More
2018-04-28 11:38:17
China Componente eletrônico de transistor de poder de New&Original 24N60C3 CoolMOS fábrica

Componente eletrônico de transistor de poder de New&Original 24N60C3 CoolMOS

24N60C3 Transistor de poder de CoolMOS Características • Tecnologia de alta tensão revolucionária nova • Carga ultra baixa da porta • Avalancha periódica avaliada • O dv extremo /dt avaliou • Ultra baixo ... Read More
2018-03-14 16:24:00
China Ω do N-CANAL 600V 0,19 do transistor STW21NM60N do Mosfet do poder da SEGUNDA GERAÇÃO - 17 A fábrica

Ω do N-CANAL 600V 0,19 do transistor STW21NM60N do Mosfet do poder da SEGUNDA GERAÇÃO - 17 A

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2018-02-01 16:12:10
China Fet Epitaxial planar do MOS do canal do transistor N do Mosfet da baixa potência do transistor do silicone de Bf422 Npn fábrica

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FET EPITAXIAL PLANAR do MOS do canal do mosfet N da baixa potência do TRANSISTOR do SILICONE de BF422 NPN AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta=25 DEG C) DESCRIÇÃO SÍMBOLO VALOR UNIDADES Coletor - tensão baixa VCBO ... Read More
2018-02-01 16:11:54
China PHOTOCOUPLER GaAs IRED do transistor do Mosfet do poder TLP291-4 & FOTO - TRANSISTOR fábrica

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TLP291-4 PHOTOCOUPLER GaAs IRED & FOTOTRANSISTOR • Tensão do Coletor-emissor: 80 V (minuto) • Relação de transferência atual: 50% (minuto) GB florescente: 100% (minuto) • Tensão do isolamento: 2500 Vrms (minuto... Read More
2018-02-01 16:11:28
China 2N7002DW-7-F DUAL TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO MODO DO REALCE DO N-CANAL fábrica

2N7002DW-7-F DUAL TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO MODO DO REALCE DO N-CANAL

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2018-02-01 16:11:15
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